電阻率測(cè)試儀（RESmap ）在對(duì)低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測(cè)量方式上擁有非常重要的重復(fù)性 Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]

產(chǎn)品型號(hào)：RESmap-1

更新時(shí)間：2024-09-12

廠商性質(zhì)：代理商

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

半導(dǎo)體專用檢測(cè)儀器設(shè)備

RESmap XRD

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電阻率測(cè)試儀（RESmap ）在對(duì)低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測(cè)量方式上擁有非常重要的重復(fù)性Si | Ge | 化合物半導(dǎo)體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導(dǎo)電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]

電阻率測(cè)試儀（RESmap ）特征：

電阻率的非接觸式測(cè)量和成像	高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化
信號(hào)靈敏度	基于線圈頻率讀數(shù)的高信號(hào)靈敏度，可實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確可靠的電阻率測(cè)量，并具有高再現(xiàn)性和可重復(fù)性
測(cè)量時(shí)間	測(cè)量時(shí)間 < 3 s，測(cè)量之間時(shí)間 < 1 s
測(cè)量速度	200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s，9個(gè)點(diǎn)
多點(diǎn)測(cè)量及測(cè)繪顯示	不超過9999個(gè)點(diǎn)
材料外形尺寸	平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜
X-Y位置分辨率	≥ 0.1mm
邊緣扣除	5 mm
可靠性	模塊化、緊湊的臺(tái)式儀器設(shè)計(jì)，可靠性高，正常運(yùn)行時(shí)間 > 99%
電阻率測(cè)量的重復(fù)性	≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法對(duì)材料系統(tǒng)分析（MSA）

更多技術(shù)規(guī)格和配置選項(xiàng):

為自動(dòng)化流程做準(zhǔn)備	可用于不同的平臺(tái)
測(cè)量方法符合	SEMI MF673標(biāo)準(zhǔn)
數(shù)據(jù)及數(shù)據(jù)有效性檢查	使用NIST標(biāo)準(zhǔn)
校準(zhǔn)精度	±1%
集成紅外溫度傳感器（±0.1°）	允許報(bào)告標(biāo)準(zhǔn)溫度下的電阻率，（與樣品的實(shí)際溫度不同）
樣品厚度校準(zhǔn)	對(duì)于高頻信號(hào)穿透深度大于穿透深度的樣品
電力要求	100-250 VAC, 5 A
尺寸	465 ′ 550 ′ 600 mm
軟件控制	配備Window10或新版本的標(biāo)準(zhǔn)PC，2個(gè)以太網(wǎng)端口